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砷化镓是第二代半导體质料，重要用于无线通信等范畴。按照Strategy Analytics的钻研陈述，2018年，全世界砷化镓元件市场（含IDM廠商之组件產值）总產值约为88.7亿美元，到达汗青新高，比拟2017年的88.3亿美元同比增加0.45%。按照Yole估计，2018-2024年，全世界砷化镓元件市场范围年均复合增加速率为10%，此中微電子范畴为CAGR为3%，光電子范畴CAGR为54%。到2024年，全世界砷化镓元件市场范围将到达157.1亿美元。
第二代半导體质料砷化镓制备工藝成熟，下流利用以通讯为主
集成電路重要分成硅基半导體與化合物半导體二大类，以硅质料为衬底质料的半导體归属为第一代半导體，以砷化镓质料为衬底的化合物半导體则属第二代，以氮化镓等质料为衬底的化合物半导體属第三代半导體。硅基半导體集成電路重要在数码应用，如微处置器、逻辑IC、存储器等；化合物半导體集成電路重要在摹拟利用，如挪动通信、全世界定位體系、卫星通信、通信基站、國防雷达、航天、军事好野娛樂城,兵器等功率型、低噪声放大器等相干MMIC集成芯片。今朝第二代半导體國產化处于初期阶段。第三代半导體主如果以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表，凭仗其宽禁带、高热导率、高击穿電场、高抗辐射能力等特色，在很多利用范畴具有前两代半导體质料没法对比的长处，有望冲破第1、二代半导體质料利用技能的成长瓶颈，市场利用潜力庞大。
从20世纪50年月起头，已开辟出了多种砷化镓单晶發展法子。今朝主流的工業化發展工藝包含：液封直拉法（LEC）、程度布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）和垂直梯度凝集法（VGF）等。
相较于常见的硅半导體，砷化镓半导體具备高频、抗辐射、耐高電压等特征，是以遍及利用在主流的商用无线通信、光通信和先辈的國防、航空及卫星用处上，此中无线通信的普及更是催生砷化镓代工谋划模式的首要推手。以手機與无线網路（Wi-Fi）为例，體系中的无线射频模组一定含有的关头零组件便是功率放大器（Power Amplifier）、射频开关器（RF Switch）及低杂讯放大器（Low Noise Amplifier）等，今朝射频功率放大器极大部门因此砷化镓半导體系體例作。砷化镓半导體因其质料特征而成为无线通信、光通信和先辈的國防、航空及卫星之首要关头组件，亦同時建构分歧于硅等其他半导體之晶圆代工技能、設計流程與验證模式以知足无线通信體系的快速成长，進而保持其范畴之独有性與怪异性。
就今朝的技能趋向和技能成长程度来看，今朝，砷化镓从大类标的目的来看重要于通讯范畴和國防與航空航天范畴，其占比别离到达60%、10%。
预测下一世代的5G技能，其資料傳输速率将是现行4G LTE的100倍，今朝只有砷化镓功率放大器可以应付如斯快速的資料傳输，也會更進一步拉大砷化镓與硅制程功率放大器之間性價比的差距。
比年物联網（IoT）观点鼓起，使无线通信和汽车防撞雷达利用發展快速，数位消费電子產物具有三重借款,无线傳输功效的比率也逐年晋升，砷化镓利用可说是具有至关康健的成漫空間；别的，化合物半导降酸茶,體元件将延续在通信和光電元件市场饰演关头脚色，比方III-V族半导體雷射具有體积小和整合性高档长处，在工業和商用范畴的利用愈来愈遍及，此中面射型雷射（VCSEL）最合适大量量產，估计在生物辨识、虚拟实境（AR/VR）及汽车防撞體系（ADAS）等范畴开辟出新利用，将来将成为砷化镓在举措装配上首要关头元件。
全世界砷化镓总產值到达汗青新高，產物以微電子为主
在砷化镓的晶圆尺寸上，六寸晶圆所占的產出比率，财產界已于2008年跨越50%而成为主流制造尺寸。按照Strategy Analytics的钻研陈述，2018年，全世界砷化镓元件市场（含IDM廠商之组件產值）总產值约为88.7亿美元，到达汗青新高，比拟2017年的88.3亿美元同比增加0.45%。
按照Yole，今朝全世界砷化镓重要利用于微電子范畴，占比高达95.7%，微電子范畴的產物包含HBT、pHEMT、BiHEMT等；光電子范畴今朝比重仅占4.3%，光電子范畴的產物包含LD、VCSEL、PD等。
全世界砷化镓财產链分工成熟，中國大陆地域介入度较低
一、全世界砷化镓财產链分工成熟
砷化镓财產最上遊为基板制造，其次为关头质料砷化镓磊晶圆，工藝详细包含MOCVD（有機金属化學气相沉积法）及MBE（份子束磊晶法）砷化镓磊晶技能，至于中遊为晶圆制造及封测等，全部财產链除晶圆制造外，設計與先辈技能重要仍把握在國际IDM大廠，下流则为手機、无线區域網路制造廠和无线射频體系商等。
按照Strategy Analytics的钻研陈述，2018年全世界砷化镓元件市场（含IDM廠商的组件產值）中，Skyworks的市占率最高，为32.3%，其次为Qorvo，市占率为26.0%。
二、中國大陆大區介入度较低
1962年，在林兰英院士的率领下，中國研制出了我國第一個GaAs单晶样品。1964年，我國第一只GaAs二极管激光器被乐成研制出来。因为在半导體质料上的诸多進献，林兰英被誉为“中國太空质料之母”。
2001年，北京有色金属钻研总院乐成研制出海内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷化镓单晶，使我國成为继日本、德國以后第三個把握此项技能的國度。
因为遭到本钱和技能上的限定，GaAs晶圆廠必需具有必定级此外投資范围和长時候制程技能的开辟，是以這种企業具有极高的准入门坎，海内可以或许构成必定體量的廠商寥寥可数。在颠末多年积淀過，我國台灣地域在制程技能上具有了极大上风，收成了全世界诸多委外代工定单，也形成为了台灣怪异的代工财產模式。
从海内大陆地域来看，我國砷化镓行業财產链中，我國原质料较为丰硕，具有较大竞争力；单晶制造环節已有较多企業结构，工藝较为成熟，重要知足海内需求，竞争力一般，直接面对國际领先企業在华工场的竞争，好比美國AXT公司在中國结构了工场；外延片制造环節中國大陆地域几近空缺，部门上市企業结构了LED芯片的制造，较为低端；IC設計、晶圆制造、封装测试等环節也重要环抱LED芯片的垂直整合，通信元件方面的结构才刚起步，竞争力缺失。
5G将为砷化镓财產链带来新一轮扩大周期
无线通信產物是砷化镓财產最重要發展动力，而手機（Cellular）利用还是砷化镓元件最大市场，其次则是Wi-Fi及根本扶植的需求。以Cellular市场来看，跟着砷化镓的技能成熟、本钱低落及利用者敌手機功效上的请求，功率放大器的利用量起头增长。凡是2G手機必要搭载1至2颗PA，3G手機必要3至4颗，成长至4G LTE，RF前端（front-end）必需因应的频段数目从4個大幅增长到了30個，而跟着5G技能和利用逐步到位，必要将更多的PA整合在RF前端模组中（FEMs）以便声援更繁杂的5G频段。
除既有商品的高度利用、举措網路流量爆增推升4G LTE、光纤網路装备布建需求外，将来几年物联網（IoT）观点普及，将使得砷化镓的利用日趋遍及普及全世界行将迎来5G期間，估计2020年正式商转，5G尺度化事情计画在2017年間加快推动，國际電信尺度制订组织3GPP（第三代互助火伴规划）R15针对非自力组網5G New Radio（5G NR）的尺度已于2017年末完成；针对自力组網5G NR的尺度，则在2018年6月完成，象征着5G将進入商用摆设的关头時代。大范围的全世界性5G摆设将于2020年起头。按照爱立信（Ericsson）显示，估计到2023年末，eMBB（加强型举措宽频）的5G用户数将跨越10亿，占举措用户总数的12%。
按照Yole估计，2018-2024年，全世界砷化镓元件市场范围年均复合增加速率为10%，此中微電子范畴为CAGR为3%，光電子范畴CAGR为54%。到2024年，全世界砷化镓元件市场范围将到达157.1亿美元。
以上数据及阐發均来自于前瞻财產钻研院《中國砷化镓行業市场远景展望與投資计谋计划阐發陈述》。
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本陈述第1章阐發了中國砷化镓行業的成长情况；第2美體霜，章对國表里砷化镓行業的成长状态、竞争款式、收支口环境举行了阐發；第3章对重要砷化镓品种的市场需求、竞争款式、市场... |
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發表於 2021-3-2 19:13:15
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