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標題: 先進前驱體材料行業整體竞争格局及市場集中情况 [打印本頁]

作者: admin 時間: 2022-12-5 17:24
標題: 先進前驱體材料行業整體竞争格局及市場集中情况
半导體先驱體質料重要利用于半导體系體例造中的薄膜沉积工藝，是薄膜沉积工藝的焦點質料，是晶圆制造工藝的“先驱體”；MO 源即高纯金属有機化合物，是操纵先辈的金属有機化學气相沉积（如下简称“MOCVD”）工藝的關头支持原質料，又被称為 MOCVD 的“化痰茶,先驱體”。是以，半导體先驱體和 MO 源均属于電子制造中的先辈先驱體質料。

（1）半导體先驱體質料行業

①行業表面

A、半导體薄膜沉积工藝先容

薄膜沉积工藝是晶圆制造的三大焦點工藝之一（此外两大工藝是光刻和蚀刻）。薄膜沉积工藝是指在硅片基底上沉积导體、绝缘體或半导體等質料構成功效薄膜，使之具备玻尿酸 ,光學、電學等方面的特别機能，是半导體系體例造進程中的重中之重。

上圖展示了一個简化的逻辑芯片剖面圖。晶圆加工工序可大致拆解為前端制程（“FEOL”，即基板工序，賣力在基板上制造出晶體管等部件構成 MOS 结構、介質膜、接触孔等布局）和后端制程（“BEOL”，即布線工序，将各部件與金属質料毗連布線構成電路）。

圖中從 FEOL 工序到 BEOL 工序中劃分為多层级，這就是靠沉积技能所構成的一层层薄膜，若是将芯片依照構成薄膜层级拆解，将获得不计其数個晶體管1和毗連它们的导線。可见，芯片的各层薄膜是组成全部芯片微觀布局的重要“骨架”，起到發生导電层或绝缘层、拦截污染物和杂質浸透、提高吸光率、姑且拦截刻蚀等首要感化。

薄膜是芯片布局的功效質料层，在芯片完成制造、封测等工序后會保存在芯片中，薄膜的技能参数直接影响芯片機能。一颗芯片的制造進程中，触及十余種分歧質料的薄膜，此中每個薄膜层均需經薄膜沉积工藝連系成形工藝（光刻、蚀刻）構成，從而在 FEOL 和 BEOL 工序中實現各個薄膜层的重叠组合，進而搭建起芯片的重要布局。

薄膜沉积工藝依照工藝道理的分歧可分為物理薄膜沉积（PVD）、化學气相反响薄膜沉积（CVD）、原子层薄膜沉积（ALD）三類。此中 PVD 是用物理過程實現物資转移的成膜技能；CVD 是操纵气态物資經由過程化學反响在基底概况形成固态薄膜的一種成膜技能；ALD 是将气相先驱體質料脉冲瓜代地通入反响器，并在沉积基體上吸附、反响而構成薄膜的一種技能。CVD 和 ALD 两項技能均是今朝利用遍及的薄膜沉积技能，两項技能比拟，CVD 的沉积速度更快，而 ALD 在繁杂概况举行沉积的薄膜平均性和界面質量更好。薄膜沉积工藝構成的薄膜依照質料来分，可分為导電金属薄膜、绝缘介質薄膜和半导體質料薄膜。以上薄膜的焦點構成質料即為各種半导體先驱體。

B、半导體先驱體質料表面

半导體先驱體質料是携带有方针元素，呈气态、易挥發液态或固态，具有化學热不乱性，同時具有响应的反响活性或物理機能的一類物資。半导體先驱體是 ALD 和 CVD 薄膜沉积工藝的焦點質料，是用于構成合适半导體系體例造请求的各種薄膜层的焦點原質料。作為集成電路質料的细分產物，具备研發投入大、制备工藝难度及纯度请求高、客户認证周期长等特色，具有极高的准入門坎，是权衡集成電路質料制备程度的標記性產物之一。半导體先驱體質料按照構成薄膜的質料属性劃分，可以分為硅先驱體和金属先驱體；按照集成電路晶圆制造工序劃分，可分為高 K 先驱體和低 K 先驱體两類。K 即介電常数，用于权衡一種質料存储電荷（正電荷或负電子）的能力，高 K 先驱體用于高 K 金属栅极（H去除狐臭產品推薦山楂乾哪裡買， ,KMG）薄膜沉积工藝的高 K 介質层；低 K 前驱體用于集成電路后端布線工序 BEOL中金属連線之間的绝缘介質。详细劃分如下：

跟着集成電路制造不竭向更先辈工藝成长，单元面积集成的電路范围不竭扩大，芯片内部立體布局日益繁杂，所必要的薄膜层数愈来愈多，對绝缘介質薄膜、导電金属薄膜的質料種類和機能参数不竭提出新的请求。是以，半导體先驱體材料的成长為集成電路制造工藝向更小制程成长供给了焦點保障。

高 K 先驱體是集成電路制程進入 28nm 后所必备的先驱體質料。集成電路基板工序 FEOL 所制造的晶體管器件，由低電阻层、栅极、栅极介質、衬底構成。在半导體晶圆制程進入 65nm 及以前，集成電路重要經由過程沉积二氧化硅薄膜構成栅极介電質；跟着集成電路尺寸不竭缩小，必要不竭收缩栅极介電层来换取更低的開启的電压和更高的栅极電容来耦合。進入 28nm 制程以后，傳统的二氧化硅栅介質层物理厚度缩小至 1 nm 如下，到达了其物理极限，發生较着的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，洩電征象大幅增长，影响了晶體管器件的良率和機能。

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