台灣:力争2030年前量產1nm以下工藝

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中國台灣相干部分昨举辦院會由科技會报辦公室陈述「美中科技战下台灣半导體前瞻科研及人材结構」，苏贞昌昨暗示，需提前结構扩展台灣财產上風；行政院科會辦说，将提早结構十二吋晶圆制造的利基装备，指望在2023年前，出產小于一纳米的半导體，也要把握关头化學品自立、确保質料优化参数不過流，并创建在地计谋供给链。

當局讲话人罗秉成會后转述指出，苏贞昌暗示，台灣早已成為全世界第一的半导體聚落，将来要若何保持及扩展供给链上風、确保财產人材供给无虞，都需提前结構。

以台积、日月光為焦點打造南部半导體S廊带

美中商業冲突升温，為强化、保持台灣半导體上風，行政院科技會报辦公室昨（15）日暗示，将朝「装备」及「質料」两标的目的着手，协助台灣廠商提早结構12吋晶圆制造利基装备，并正在计划鞭策高雄半导體質料專区，以创建南部半导體質料「S」廊带。

美中商業战、科技战延续升温，在車用芯片荒后，美國當局加倍器重半导體财產；美國总统拜登在朝后，前联邦商讨员陶德率團访台，昨日會面台灣地域带领人，说起要增强台美多方互助。而行政院會昨天也出格放置科會辦口臭怎麼改善,就「美中科技战下台灣半导體前瞻科研及人材结構」举行陈述。

科會辦指出，迩来半导體财產从質料、装备、技能、芯片及產能都已成國际竞合核心；美國拟以500亿美元拔擢芯片制造業、限定半导體技能与装备输往中國大陸；大陸紗窗清洗刷,也不甘示弱颁布發表投入第三代半导體研發；欧盟则成心抢进芯片制造市場等。

2030年半导體世代為超摩尔定律期間，IC利用迈向多元化与极致效能，更进一步跨向「 （埃）标准」(1nm)。

科會辦暗示，台灣要从制造、人材、技能与资本三标的目的突围，扩展台灣半导體供给链上風。

在财產层级，當局将延续强大串连西部硅谷带半导體财產聚落，扩展代工制造竞争上風；國度层级，要确保半导體人材供给護髮產品,，比方透過「立异条例」立法，催生半导體學院；全世界层级，则透過装备及質料两标的目的，把握计谋资本与技能。

在装备面，要协助台灣廠商提早结構12吋晶圆制造利基装备，朝向化合物半导體成长，盼在2030年以前能出產「埃」标准半导體；于質料面，把握关头化學品自立、确保質料优化参数不過流，并创建在地计谋供给链。

質料方面，则计划鞭策高雄半导體質料專区，要串联南科、路竹、桥头、楠梓、大社、仁武、大寮、林园、小港（大林埔）等园区，以台积電、日月光、华邦、稳懋等半导體廠為焦點，创建南部半导體質料「S」廊带。

科會辦暗示，科技部也渐渐更新科學园区尺度廠及開辟新设园区，比方本年起至2035年，投入272.57亿元經费更新竹科第三至五期尺度廠房。

预期效益，包含廠房单位数可从88晋升至196单位，总楼地板面积从5.3万多平方公尺扩增至36.6万多平方公尺，估计可引进5,848就業生齿、缔造年產值411.82亿元。

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