全球第一 台积电宣布研发2nm工艺 2024年问世
在今天揭幕的科技立异论坛集会上，台积电研发卖力人、技能钻研副总司理黄汉森除探究将来半导体工艺持续茵蝶,到0.1nm的可能以外，还颁布发表了一个首要动静——台积电已启动2nm工艺研发，估计四年后问世。在台积电今朝的工艺计划中，7nm工艺客岁已量产，7nm+初次引入EUV极紫外光刻技能，今朝已投入量产；
6nm只是7nm的一个进级版，来岁第一季度试产；
5nm周全导入EUV极紫外光刻，已起头危害性试产，来岁底以前量产，苹果A1四、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采用)，以后另有个加强版展示架,的N5P工艺。
3nm有望在2021年试产、2022年量产。
在3nm以后就要进入2nm工艺了，现实上台积电本年6月份就颁布发表研发2nm工艺了，工场设置在位于台湾新竹的南边科技园，估计2024年投入出产。
依照台积电给出的指标，2nm工艺是一个首要节点，Metal Track(金属单位高度)和3nm同样保持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，比拟于3nm都小了23％。
不外台积电没有流露2nm工艺所必要的技能和质料，机能、功耗等指标更是无从谈起。
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