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在今天揭幕的科技立异论坛集会上,台积电研发卖力人、技能钻研副总司理黄汉森除探究将来半导体工艺持续茵蝶,到0.1nm的可能以外,还颁布发表了一个首要动静——台积电已启动2nm工艺研发,估计四年后问世。
在台积电今朝的工艺计划中,7nm工艺客岁已量产,7nm+初次引入EUV极紫外光刻技能,今朝已投入量产;
6nm只是7nm的一个进级版,来岁第一季度试产;
5nm周全导入EUV极紫外光刻,已起头危害性试产,来岁底以前量产,苹果A1四、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采用),以后另有个加强版展示架,的N5P工艺。
3nm有望在2021年试产、2022年量产。
在3nm以后就要进入2nm工艺了,现实上台积电本年6月份就颁布发表研发2nm工艺了,工场设置在位于台湾新竹的南边科技园,估计2024年投入出产。
依照台积电给出的指标,2nm工艺是一个首要节点,Metal Track(金属单位高度)和3nm同样保持在5x,同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm,Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm,比拟于3nm都小了23%。
不外台积电没有流露2nm工艺所必要的技能和质料,机能、功耗等指标更是无从谈起。 |
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