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台灣:力争2030年前量產1nm以下工藝

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發表於 2021-5-28 13:51:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
中國台灣相干部分昨举辦院會由科技會报辦公室陈述「美中科技战下台灣半导體前瞻科研及人材结構」,苏贞昌昨暗示,需提前结構扩展台灣财產上風;行政院科會辦说,将提早结構十二吋晶圆制造的利基装备,指望在2023年前,出產小于一纳米的半导體,也要把握关头化學品自立、确保質料优化参数不過流,并创建在地计谋供给链。

當局讲话人罗秉成會后转述指出,苏贞昌暗示,台灣早已成為全世界第一的半导體聚落,将来要若何保持及扩展供给链上風、确保财產人材供给无虞,都需提前结構。

以台积、日月光為焦點打造南部半导體S廊带

美中商業冲突升温,為强化、保持台灣半导體上風,行政院科技會报辦公室昨(15)日暗示,将朝「装备」及「質料」两标的目的着手,协助台灣廠商提早结構12吋晶圆制造利基装备,并正在计划鞭策高雄半导體質料專区,以创建南部半导體質料「S」廊带。

美中商業战、科技战延续升温,在車用芯片荒后,美國當局加倍器重半导體财產;美國总统拜登在朝后,前联邦商讨员陶德率團访台,昨日會面台灣地域带领人,说起要增强台美多方互助。而行政院會昨天也出格放置科會辦口臭怎麼改善,就「美中科技战下台灣半导體前瞻科研及人材结構」举行陈述。

科會辦指出,迩来半导體财產从質料、装备、技能、芯片及產能都已成國际竞合核心;美國拟以500亿美元拔擢芯片制造業、限定半导體技能与装备输往中國大陸;大陸紗窗清洗刷,也不甘示弱颁布發表投入第三代半导體研發;欧盟则成心抢进芯片制造市場等。

2030年半导體世代為超摩尔定律期間,IC利用迈向多元化与极致效能,更进一步跨向「 (埃)标准」(1nm)。

科會辦暗示,台灣要从制造、人材、技能与资本三标的目的突围,扩展台灣半导體供给链上風。

在财產层级,當局将延续强大串连西部硅谷带半导體财產聚落,扩展代工制造竞争上風;國度层级,要确保半导體人材供给護髮產品,,比方透過「立异条例」立法,催生半导體學院;全世界层级,则透過装备及質料两标的目的,把握计谋资本与技能。

在装备面,要协助台灣廠商提早结構12吋晶圆制造利基装备,朝向化合物半导體成长,盼在2030年以前能出產「埃」标准半导體;于質料面,把握关头化學品自立、确保質料优化参数不過流,并创建在地计谋供给链。

質料方面,则计划鞭策高雄半导體質料專区,要串联南科、路竹、桥头、楠梓、大社、仁武、大寮、林园、小港(大林埔)等园区,以台积電、日月光、华邦、稳懋等半导體廠為焦點,创建南部半导體質料「S」廊带。

科會辦暗示,科技部也渐渐更新科學园区尺度廠及開辟新设园区,比方本年起至2035年,投入272.57亿元經费更新竹科第三至五期尺度廠房。

预期效益,包含廠房单位数可从88晋升至196单位,总楼地板面积从5.3万多平方公尺扩增至36.6万多平方公尺,估计可引进5,848就業生齿、缔造年產值411.82亿元。

今天是《半导體魚訊,行業察看》為您分享的第2647内容,接待存眷。

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